關(guān)于研究生電化學(xué)測(cè)量部分的復(fù)習(xí)知識(shí)點(diǎn)
研究生實(shí)驗(yàn)課復(fù)習(xí)（電化學(xué)測(cè)量部分）
1. 電化學(xué)測(cè)量體系表格。
2. 支持電解質(zhì)的作用及要求。
作用：減小溶液電阻，減小ψ1效應(yīng)；有效地消除電活性物種的電遷移現(xiàn)象；減小WE和CE間的電阻，避免過(guò)量的Joule熱效應(yīng)；有助于保持均一的電流和電勢(shì)分布。
要求：①在溶劑中要有相當(dāng)大的溶解度；②保持電化學(xué)惰性，電勢(shì)窗大；③不與體系中的物質(zhì)或者電極反應(yīng)有關(guān)的物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)；④對(duì)電極表面無(wú)特性吸附。
4．直接電位法：電極電位與溶液中電活性物質(zhì)的活度有關(guān)，通過(guò)測(cè)量溶液的電動(dòng)勢(shì)，由能斯特公式計(jì)算被測(cè)物質(zhì)含量。（2-17）（2-19）
5. 庫(kù)侖分析法：在電解分析法的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，通過(guò)測(cè)量被測(cè)物質(zhì)在100％電流效率下電解所消耗的電量來(lái)進(jìn)行定量分析的方法，定量依據(jù)是法拉第定律。（2-36）
6．控制電位電解法的圖譜含義。
控制電位電解法是在控制陰極或陽(yáng)極電位為一恒定值的條件下進(jìn)行電解的方法。若溶液中存在有A、B兩種金屬離子，左圖為電解時(shí)電流與陰極電位的關(guān)系曲線。其中a、b兩點(diǎn)分別代表A、B離子的陰極析出電位。若控制陰極電位電解時(shí)，使其負(fù)于a而正于b，如圖中d點(diǎn)的電位，則A離子能在陰極上還原析出而B(niǎo)離子則不能，從而達(dá)到分離B的目的。在陰極上，析出電位愈正者，愈易還原；在陽(yáng)極上，析出電位愈負(fù)者，愈易氧化。
7. 混合控制過(guò)程的阻抗復(fù)數(shù)平面圖含義（3-47）
混合控制下，高頻區(qū)出現(xiàn)傳荷過(guò)程控制的特征阻抗半圓，低頻區(qū)出現(xiàn)擴(kuò)散控制的特征直線。
8. 對(duì)消法的定義。
在待測(cè)電池上并聯(lián)一個(gè)大小相等、方向相反的外加電勢(shì)差，這樣待測(cè)電池中沒(méi)有電流通過(guò)，外加電勢(shì)差的大小即等于待測(cè)電池的電動(dòng)勢(shì)。
9. 典型的DSSC的阻抗譜圖及分析。
一般情況，EIS 出現(xiàn)三個(gè)半圓弧，其中，高頻區(qū)的阻抗(Z1)代表對(duì)電極/電解液界面之間的電荷轉(zhuǎn)移特性；中頻區(qū)的阻抗(Z2)代表半導(dǎo)體TiO2薄膜/染料N719/電解液界面之間和半導(dǎo)體TiO2薄膜內(nèi)的`電荷轉(zhuǎn)移特性；低頻區(qū)的阻抗(Z3)代表的是I3在Pt對(duì)電極/電解液界面之間的傳輸特性。（4-17--4-22） -
10．電極反應(yīng)可逆性的判斷方法。
循環(huán)伏安法中電壓的掃描過(guò)程包括陰極與陽(yáng)極兩個(gè)方向，因此從所得的循環(huán)伏安法圖的氧化波和還原波的峰高和對(duì)稱性中可判斷電活性物質(zhì)在電極表面反應(yīng)的可逆程度。若反應(yīng)是可逆的，則曲線上下對(duì)稱，若反應(yīng)不可逆，則曲線上下不對(duì)稱。峰電位差值越小越可逆！
11. 理想狀態(tài)和實(shí)際狀態(tài)下的電容器的CV曲線的形狀，兩者差別的原因是什么？（4-50）
理想狀態(tài)下的電容器應(yīng)該是呈現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)的矩形，但在實(shí)際中由于內(nèi)阻等因素的存在，使得曲線有一定的偏差。在不同的掃描速率下，循環(huán)伏安曲線重合性都很好，說(shuō)明每次循環(huán)容量的衰減都很少。隨著掃描速率的增大，曲線依然保持較好的矩形，但在掃描速率較大時(shí)(如10 mV/s)，曲線偏離矩形的程度加大。這主要是由活性炭的微孔結(jié)構(gòu)造成。
12. 金屬點(diǎn)蝕敏感性的電化學(xué)測(cè)試方法及圖譜分析。 恒電位正反掃描法（線性掃描伏安法）
將電極陽(yáng)極極化到一定電位后電流會(huì)突然增加，這個(gè)電位稱為擊穿電位Eb。 當(dāng)電流超過(guò)某個(gè)設(shè)定值后將電位反向掃描，直至極化電流恢復(fù)到鈍化電流，此時(shí)的電位稱為保護(hù)電位Ep。擊穿電位越正，材料的耐點(diǎn)蝕性能越好，擊穿電位和保護(hù)電位之間的差值越小材料的耐點(diǎn)蝕性能越好。
13. 欠電位沉積的定義。
欠電位沉積（underpotential deposition，縮寫UPD）是指一種金屬可在比其平衡電勢(shì)正的電位下沉積在另一種金屬基體上，生成單原子厚度層的現(xiàn)象。
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