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電氣工程師《發(fā)輸變電》備考題

時(shí)間:2024-09-16 00:34:36 試題 我要投稿
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電氣工程師《發(fā)輸變電》備考題

  下面是小編分享的電氣工程師《發(fā)輸變電》備考題,一起來看一下吧。

  1、已知r=3ω,xl=15ω,xc=11ω,將它們串聯(lián)時(shí),總阻抗z等于(c)。

  a.29ω;

  b.7ω;

  c.5ω;

  d.3ω。

  2、正弦電路中電容元件的無功功率表達(dá)式是(a)。

  a.qc=u2ωc;

  b.qc=i2ω

  c;c.qc=xci2;

  d.。

  3、電磁感應(yīng)過程中,回路中所產(chǎn)生的電動勢是由(b)決定的。

  a.通過回路的磁通量;

  b.回路中磁通量變化率;

  c.回路所包圍的面積;

  d.回路邊長。

  4、某工頻正弦電流,當(dāng)t=0,i(0)=5a為最大值,則該電流解析式是(c)。

  a.i=5sin(100πt-90°);

  b.i=5sin(100πt+90°);

  c.i=5sin(100πt+90°);

  d.i=5sin(100πt)。

  5、通電導(dǎo)體在磁場中所受的力是(c)。

  a.電場力;

  b.磁場力;

  c.電磁力;

  d.引力。

  6、自感系數(shù)l與(d)有關(guān)。

  a.電流大小;

  b.電壓高低;

  c.電流變化率;

  d.線圈結(jié)構(gòu)及材料性質(zhì)。

  7、已知某元件的u=100sin(ωt+30°)v,i=10sin(ωt-60°)a,則該元件為(b)。

  a.電阻;

  b.電感;

  c.電容;

  d.無法確定。

  8、已知r、l、c串聯(lián)電路中,電流滯后端電壓,則下面結(jié)論中,正確的是(b)。

  a.xc>xl;

  b.xc

  9、幾個(gè)電容器串聯(lián)連接時(shí),其總電容量等于(d)。

  a.各串聯(lián)電容量的倒數(shù)和;

  b.各串聯(lián)電容量之和;

  c.各串聯(lián)電容量之和的倒數(shù);

  d.各串聯(lián)電容量之倒數(shù)和的倒數(shù)

  10、正弦電路中電容元件的無功功率表達(dá)式是( a )。

  a.qc=u2ωc;

  b.qc=i2ωc;

  c.qc=xci2;

  11、在電價(jià)低的供電線路上,擅自接用電價(jià)高的用電設(shè)備或私自改變用電類別的,應(yīng)按實(shí)際使用日期補(bǔ)交其差額電費(fèi),并承擔(dān)()差額電費(fèi)的違約使用電費(fèi),使用日期難以確定的,實(shí)際使用時(shí)間按()計(jì)算。

  a、一倍 b、二倍 c、三倍 d、五倍

  答案:bc

  12、直流試驗(yàn)電壓的脈動幅值等于()。

  a.最大值和最小值之差;

  b.最大值與平均值之差;

  c.最小值與平均值之差;

  d.最大值和最小值之差的一半。

  答案:d

  13、()對電介質(zhì)施加直流電壓時(shí),由電介質(zhì)的彈性極化所決定的電流稱為()。

  a.泄漏電流;

  b.電導(dǎo)電流;

  c.吸收電流;

  d.電容電流。

  答案:d

  14、當(dāng)球間距不大于球半徑時(shí),常用的測量球隙是典型的()電場間隙。

  a.均勻;

  b.稍不均勻;

  c.不均勻;

  d.極不均勻。

  答案:b

  15、在小接地電流系統(tǒng)中,某處發(fā)生單相接地時(shí),母線電壓互感器開口三角形的電壓。( )

  a.故障點(diǎn)距母線越近,電壓越高

  b.故障點(diǎn)距母線越近,電壓越低

  c.不管距離遠(yuǎn)近,基本上電壓一樣高

  答案:c

  16.高壓絕緣試驗(yàn)中,要求直流試驗(yàn)電壓在輸出工作電流下,其電壓的脈動因數(shù)應(yīng)不大于(b)。

  a.1%;

  b.3%;

  c.5%;

  d.10%。

  17.直流試驗(yàn)電壓值指的是直流電壓的(a)。

  a.算術(shù)平均值;

  b.最大值;

  (c)最小值;

  d.峰值。

  18.運(yùn)行中的變壓器鐵芯允許(a)。

  a.一點(diǎn)接地;

  b.兩點(diǎn)接地;

  c.多點(diǎn)接地;

  d.不接地。

  19.試品電容量約為15000pf,當(dāng)用10kvqs1型西林電橋測量其tgδ及c時(shí),電橋分流器檔位宜設(shè)置在(c)檔。

  a.0.01;

  b.0.025;

  c.0.06;

  d.0.15。

  20.試品絕緣表面臟污、受潮,在試驗(yàn)電壓下產(chǎn)生表面泄漏電流,對試品tgδ和c測量結(jié)果的影響程度是(c)。

  a.試品電容量越大,影響越大;

  b.試品電容量越小,影響越小;

  c.試品電容量越小,影響越大;

  d.與試品電容量的大小無關(guān)。

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