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內(nèi)存跟硬盤(pán)有哪些區(qū)別
現(xiàn)如今隨著手機(jī)的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時(shí)代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機(jī)的存儲(chǔ)就陷入了茫然，于是我們經(jīng)常會(huì)遇到“Q：你的手機(jī)內(nèi)存多大?A：128GB”這樣的笑話，實(shí)際上我們也相信提問(wèn)者就是想知道手機(jī)存儲(chǔ)容量的大小，而回答者也已經(jīng)按照約定俗成的方式回答了問(wèn)題。就跟隨百分網(wǎng)小編一起去了解下吧，想了解更多相關(guān)信息請(qǐng)持續(xù)關(guān)注我們應(yīng)屆畢業(yè)生考試網(wǎng)!
內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中重要的部件之一，它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁。
電腦硬盤(pán)是計(jì)算機(jī)的最主要的存儲(chǔ)設(shè)備。硬盤(pán)(港臺(tái)稱之為硬碟，英文名：Hard Disk Drive 簡(jiǎn)稱HDD 全名 溫徹斯特式硬盤(pán))由一個(gè)或者多個(gè)鋁制或者玻璃制的碟片組成。
于計(jì)算機(jī)組成原理來(lái)分析：手機(jī)和電腦并沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別，主體結(jié)構(gòu)依然為輸入設(shè)備、存儲(chǔ)器、運(yùn)算器、控制器和輸出設(shè)備，至于外圍的存儲(chǔ)設(shè)備實(shí)際只是一個(gè)輔助，所以稱之為輔助存儲(chǔ)器，只是因?yàn)槿藗儗?duì)于結(jié)果的更多需求，所以它又成為人們似乎“看得著、摸得見(jiàn)”的最重要組成部分--存儲(chǔ)。
計(jì)算機(jī)的組成原理里面這樣介紹計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器：存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和數(shù)據(jù)的部件，對(duì)于計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，有了存儲(chǔ)器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器，主存儲(chǔ)器又稱內(nèi)存儲(chǔ)器，而諸如硬盤(pán)、SSD等都為輔助存儲(chǔ)器。
套用網(wǎng)絡(luò)上這樣一個(gè)關(guān)于內(nèi)存和存儲(chǔ)的定義，大家可能再也不會(huì)弄混淆了：你口里吃花生就CPU在處理數(shù)據(jù)，硬盤(pán)容量大小就是你的口袋大小(能放多少花生)，內(nèi)存大小就是你的手的大小(一次能抓多少出來(lái))。
現(xiàn)如今，無(wú)論是手機(jī)還是電腦內(nèi)存都使用了DRAM存儲(chǔ)技術(shù)。DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。
至于存儲(chǔ)方面，現(xiàn)如今主要包含兩大類技術(shù)：HDD(Hard Disc Drive)和NAND Flash，關(guān)于HDD在這里就不做過(guò)多介紹。NAND Flash全名為Flash Memory，屬于非易失性存儲(chǔ)設(shè)備(Non-volatile Memory Device)，F(xiàn)lash的內(nèi)部存儲(chǔ)是MOSFET，里面有個(gè)懸浮門(Floating Gate)，是真正存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元。數(shù)據(jù)在Flash內(nèi)存單元中是以電荷(electrical charge) 形式存儲(chǔ)的。存儲(chǔ)電荷的多少，取決于圖中的外部門(external gate)所被施加的電壓，其控制了是向存儲(chǔ)單元中沖入電荷還是使其釋放電荷。而數(shù)據(jù)的表示，以所存儲(chǔ)的電荷的電壓是否超過(guò)一個(gè)特定的閾值Vth來(lái)表示。
對(duì)于數(shù)據(jù)的表示，單個(gè)存儲(chǔ)單元中內(nèi)部所存儲(chǔ)電荷的電壓，和某個(gè)特定的閾值電壓Vth，相比，如果大于此Vth值，就是表示1，反之，小于Vth，就表示0;對(duì)于nand Flash的數(shù)據(jù)的寫(xiě)入1，就是控制External Gate去充電，使得存儲(chǔ)的電荷夠多，超過(guò)閾值Vth，就表示1了。而對(duì)于寫(xiě)入0，就是將其放電，電荷減少到小于Vth，就表示0了。
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