間接帶隙半導(dǎo)體的物理知識(shí)點(diǎn)

　　人才源自知識(shí)，而知識(shí)的獲得跟廣泛的閱讀積累是密不可分的。古人有書中自有顏如玉之說(shuō)。杜甫所提倡的讀書破萬(wàn)卷, 下筆如有神等，無(wú)不強(qiáng)調(diào)了多讀書廣集益的好處。這篇間接帶隙半導(dǎo)體(indirectbandgapsemiconductor)物理知識(shí)大全，希望可以加強(qiáng)你的`基礎(chǔ)。

　　間接帶隙半導(dǎo)體（indirectbandgapsemiconductor）

　　間接帶隙半導(dǎo)體(indirectbandgapsemiconductor)

　　指Ge、Si和部分Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，價(jià)帶頂位于K空間原點(diǎn)，而導(dǎo)帶底并不在K空間的原點(diǎn)。因此，間接帶隙半導(dǎo)體中電子不僅吸收光子還與晶格交換能量，發(fā)生非直接躍遷。伴隨發(fā)射或吸收適當(dāng)?shù)穆曌�，電子的波矢K可以改變。GaP是間接帶隙半導(dǎo)體，其發(fā)光也是間接躍遷產(chǎn)生的。但如果將GaP和GaAs混合制成GaAs1-xPx晶體，則可調(diào)節(jié)x(0

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