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材料物理導(dǎo)論名詞解釋
Absorption coefficient 吸收常數(shù)：垂直于光束方向的水層元內(nèi)單位厚度的吸收量
Acceptor impurity 受主雜質(zhì)：lll族雜質(zhì)在Si、Ge中能夠接受電子而產(chǎn)生導(dǎo)電空穴并形成負(fù)電中心
acceptor ionization 受主電離：空穴掙脫受主雜質(zhì)束縛的過程
Antiferromagnetism 反鐵磁性：材料中相鄰原子或離子的磁矩作反向平行排列使得總磁矩為零的性質(zhì)。
Birefringence 雙折射：光入射到各向異性的晶體分解為兩束光而沿不同方向折射的現(xiàn)象 Conduction bands 導(dǎo)帶：一部分被電子填充，另一部分能級空著的允帶
Crystallization 結(jié)晶：液態(tài)金屬轉(zhuǎn)變?yōu)楣虘B(tài)金屬形成晶體的過程
Current density 電流密度：描述電路中某點(diǎn)電流強(qiáng)弱和流動(dòng)方向的物理量
currie temperature 居里溫度：自發(fā)極化急劇消失的溫度
Diamagnetism 抗磁性：外加磁場使材料中電子軌道運(yùn)動(dòng)發(fā)生變化，感應(yīng)出很小的磁矩且該磁矩與外磁場方向相反的性質(zhì)
Dielectric breakdown 介電體擊穿：介電體在高電場下電流急劇增大，并在某一電場強(qiáng)度下完全喪失絕緣性能的現(xiàn)象
dielectric loss 介電損耗：將電介質(zhì)在電場作用下，單位時(shí)間內(nèi)消耗的電能
Dielectric medium 電介質(zhì)：能夠被電極化的介質(zhì)
Dipolar turning polarization 偶極子轉(zhuǎn)向極化：極性介電體的分子偶極矩在外電場作用下，沿外施電場方向轉(zhuǎn)向而產(chǎn)生宏觀偶極矩的極化
Disperse phase 分散相：被分散的物質(zhì)
Dispersion of refractive index 折射率的色散：材料的折射率m隨入射光頻率減小而減小的現(xiàn)象
Donor impurity level 施主能級：將被施主雜質(zhì)束縛的電子能量狀態(tài)稱施主能級
Donor impurity 施主雜質(zhì)：V族雜志在硅、鍺中電力時(shí)，能夠釋放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電導(dǎo)子并形成整點(diǎn)中心，稱其位施主雜質(zhì)或n型雜志
donor ionization 施主電離：施主雜質(zhì)釋放電子的過程
Electirical polarization 電子極化：電場作用下，構(gòu)成原子外圍的電子云相對原子核發(fā)生位移形成的極化
Electrical field 電場：由電荷及變化磁場周圍空間里存在的一種特殊物質(zhì)
Electrical resistivity 電阻率：某種材料制成的長1米、橫截面積是1平方米的在常溫下（20℃時(shí)）導(dǎo)線的電阻，叫做這種材料的電阻率。
Electrolytic effect 電解效應(yīng)：由于離子導(dǎo)電發(fā)生遷移時(shí)，在電極附近發(fā)生電子得失，伴隨有新物質(zhì)的產(chǎn)生的電解現(xiàn)象
Energy level spliting 能級分-裂：當(dāng)有幾個(gè)原子時(shí)，相互中間隔很遠(yuǎn)時(shí)是N度簡并的，相互靠近組成晶體后，它們的能級分-裂成N個(gè)彼此靠近的能級，簡并消失。
extrinsic ionization 雜質(zhì)電離：正電中心磷離子對多余價(jià)電子的束縛比共價(jià)鍵作用弱很多，電子儀需要很少的能量作為導(dǎo)電電子，在晶格中自由運(yùn)動(dòng)
extrinsic semieonductor 雜質(zhì)半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中人為地?fù)饺胍欢康碾s質(zhì)元素形成的半導(dǎo)體
Ferrimagnetism 亞鐵磁性：含鐵酸鹽的陶瓷磁性材料即鐵氧體，其宏觀磁性類似于鐵磁性，但磁化率和飽和磁化強(qiáng)度比鐵磁性材料低一些
Ferroelectrics 鐵電體：外加電場去除后仍存在極化而且自發(fā)極化方向可隨外電場方向不同而
反轉(zhuǎn)的材料
Ferromagnetism 鐵磁性：材料在外磁場作用下會(huì)產(chǎn)生很大的磁化強(qiáng)度，外磁場去除后仍能保持相當(dāng)大永久磁性的性質(zhì)。
Forbidden bands 禁帶：不允許電子占據(jù)的能量區(qū)域
Free energy 自由能：某一個(gè)熱力學(xué)過程中，系統(tǒng)減少的內(nèi)能中可以轉(zhuǎn)化為對外做功的部分 Give out light 發(fā)光：材料的原子或分子從外部接受能量成為激發(fā)態(tài)
Hall coefficient 霍爾系數(shù)：反應(yīng)一種材料霍爾效應(yīng)顯著與否的物理量
Hall effect 霍爾效應(yīng)：在物質(zhì)中任何一點(diǎn)產(chǎn)生的感應(yīng)電場強(qiáng)度與電流密度和磁感應(yīng)強(qiáng)度之矢量積成正比的現(xiàn)象
Hard magnetic materials 硬磁材料：對于磁感應(yīng)強(qiáng)度以及磁極化強(qiáng)度具有高矯頑性的材料，經(jīng)過磁化后能夠長久保持強(qiáng)磁性。
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Harmonic vibration 簡諧振動(dòng)：物體在跟偏離平衡位置的位移大小成正比，方向總指向平衡位置的回復(fù)力的作用下的振動(dòng)
Heat conduction by electron 電子熱傳導(dǎo)：依靠電子的碰撞，進(jìn)行能量的傳遞
Heat conduction by phono 聲子熱傳導(dǎo)：聲子從高濃度區(qū)域到低濃度區(qū)域的擴(kuò)散過程
Heat stress damage of materials 材料的熱應(yīng)力損傷：材料在受到熱沖擊作用時(shí)產(chǎn)生的斷裂損傷
Homogeneous materials 均質(zhì)材料：無法機(jī)械分割為更單純材料的單元
Hysteretic losses 磁滯損耗：鐵碳體處于交變磁場中時(shí)將沿磁滯回線反復(fù)被磁化、去碳，在此過程中要消耗額外的能量并以熱的形式從鐵磁體中釋放
Instrinsic electrical conduction 本征電導(dǎo)：導(dǎo)帶中的電子導(dǎo)電和價(jià)帶中的空穴導(dǎo)電同時(shí)發(fā)生 Instrinsic excitation 本征激發(fā)：把價(jià)電子激發(fā)成導(dǎo)帶電子的過程
Instrinsic semiconductor 本征半導(dǎo)體：只有本征激發(fā)的半導(dǎo)體
Insulator 絕緣體：不易導(dǎo)電的物體
Ionic defect conentration 離子濃度：以單位體積中所含的運(yùn)動(dòng)離子的量
Ionic electrical conduction 離子型電導(dǎo)：載流子主要是離子的材料所具有的電導(dǎo)
Ionic polarization 離子極化：在外電場作用下，構(gòu)成分子的離子發(fā)生相對位移而形成的極化 Josephson 約瑟夫森效應(yīng)：當(dāng)在兩塊超導(dǎo)體之間存在一塊極薄的絕緣層時(shí)，超導(dǎo)電子能通過極薄的絕緣層。
Laser 激光：受激發(fā)射的光
Lattice vibration 晶格熱振動(dòng)：晶體中原子以平衡位置為中心不停的振動(dòng)的現(xiàn)象
Lattice wave 格波：晶格中的所有原子以相同頻率振動(dòng)而形成的波，或一原子在平衡位置附近的振動(dòng)是以波的形式在晶格中傳播而形成的波
Linear expansion coefficient 線脹系數(shù)：固態(tài)物質(zhì)的溫度改變1℃時(shí)，其長度的變化與它在0℃時(shí)的長度之比
Luminescence 熒光：材料接受能量后立即引起發(fā)光、中斷能量后幾乎立刻停止發(fā)光 Magnetic domain wall 磁疇壁：兩相鄰磁疇間的過渡區(qū)域或交界面
Magnetic domain 磁疇：自發(fā)磁化是按區(qū)域分布的，各個(gè)自發(fā)磁化區(qū)域稱為磁疇 Magnetic field 磁場：由運(yùn)動(dòng)電荷或電場的變化而產(chǎn)生的一種特殊物質(zhì)
Magnetization 磁化：鐵磁性材料在外加磁場作用下，各磁矩規(guī)則取向而宏觀顯示出的磁性現(xiàn)象
Magneto resistance effects 磁阻效應(yīng)：由于磁場存在導(dǎo)致半導(dǎo)體電阻增大的現(xiàn)象
meissner 麥斯納效應(yīng)：當(dāng)超導(dǎo)體低于某臨界溫度Tc時(shí)，外加的磁場會(huì)被排斥在超導(dǎo)體之外 Melting point 熔點(diǎn)：固態(tài)急速向液態(tài)轉(zhuǎn)變的溫度
Mgnetism indensity 磁化強(qiáng)度：材料內(nèi)部的磁感應(yīng)強(qiáng)度可以看成兩部分：1.來自自身空間磁場的作用2.來自材料的磁化產(chǎn)生的附加磁場的作用
Mgnetocry stalline anisotropy 磁晶各向異性能：沿不同方向使材料磁化，達(dá)到磁飽和時(shí)材料所消耗的能量，在鐵磁單晶體的不同晶向上磁性能不同的性質(zhì)
Mobility 遷移率：載流子在單位電場中的遷移速度
n-type semiconductor n型半導(dǎo)體：摻入施主雜質(zhì)，主要依靠導(dǎo)帶中電子導(dǎo)電的半導(dǎo)體 電子型半導(dǎo)體
Optical fiber 光纖：傳輸光能的波導(dǎo)介質(zhì)
Paramagnetism 順磁性：有些材料的自旋磁矩與軌道磁矩未完全抵消，每個(gè)原子都有一個(gè)永久磁矩，在外磁場作用下，各原子磁矩會(huì)沿外磁場方向擇優(yōu)取向，使材料表現(xiàn)出宏觀的磁性的性質(zhì)。
Phonon 聲子：晶格振動(dòng)的能量是量子化的，以hv為單元來增加能量，這種能量單元稱為聲子
Phosphorescence 磷光：材料不僅能接受能量能發(fā)光而且中斷能量供給后一段時(shí)間仍能發(fā)光 polarization loss極化損耗：是在高頻率交流電壓下，外電場使介質(zhì)極化而產(chǎn)生的損耗 Polarization 極化：電極上有電流通過時(shí)，電極電勢偏離其平衡值的現(xiàn)象
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p-type semiconductor p型半導(dǎo)體：摻入受主雜質(zhì)，主要依靠導(dǎo)帶中空穴導(dǎo)電的半導(dǎo)體 空穴型半導(dǎo)體
Quality factor 品質(zhì)因子：能量的儲(chǔ)存與損耗之比
Refractive index 折射率：光在真空與材料中的傳播之比
Scattering of ionized impurities 電離雜質(zhì)散射：半導(dǎo)體中施主雜質(zhì)、受主雜質(zhì)電離后分別變成帶正電、負(fù)電的離子，在電離施主或受主周圍形成一個(gè)電場使得載流子散射的現(xiàn)象 Semiconductor 半導(dǎo)體：電阻率介于金屬與絕緣材料之間的材料
Soft magnetic materials 軟磁材料：在較弱磁場下易于磁化，也易退磁的一種磁性材料 Specific heat capacity 比熱容：單位質(zhì)量的熱容量
Spontaneous plarization 自發(fā)極化：外加電場去除后仍存在極化的現(xiàn)象
Spuerconductor 超導(dǎo)體：一定溫度下具有零電阻超導(dǎo)電現(xiàn)象的材料
Statistical mechanics 統(tǒng)計(jì)力學(xué)：研究大量粒子幾何的宏觀運(yùn)動(dòng)規(guī)律的科學(xué)
Statistical regularity 統(tǒng)計(jì)規(guī)律性：由大量微觀粒子組成的整體，表現(xiàn)出與機(jī)械運(yùn)動(dòng)規(guī)律不同的另一種規(guī)律性。
Susceplitilsty 磁化率：表示材料磁化程度的物理量
Thermal conduction 熱傳導(dǎo)：材料中的熱量自動(dòng)從高溫區(qū)傳向低溫區(qū)的現(xiàn)象
Thermal eqilibrium state 熱力學(xué)：平衡態(tài)：一個(gè)系統(tǒng)處于不變的外界條件下，經(jīng)過一定的時(shí)間后系統(tǒng)達(dá)到的一個(gè)宏觀性質(zhì)不隨時(shí)間變化的狀態(tài)。
Thermal expansion coeffient熱膨脹系數(shù)：溫度升高1K時(shí)，物體長度、體積相對增長值 Thermal expansion 熱膨脹：材料的長度或體積在不加壓力時(shí)隨溫度的升高而變大的現(xiàn)象 Thermal motion 熱力學(xué)：物質(zhì)中原子和分子不停的無規(guī)則運(yùn)動(dòng)狀態(tài)
Thermal shock resistance 熱穩(wěn)定性：材料承受溫度的急劇變化而不致碎裂破壞的能力 Thermal stability熱穩(wěn)定性：材料承受溫度的急劇變化而不致碎裂破壞的能力
Thermal stress rupture 熱應(yīng)力：材料在為改變外力作用狀態(tài)時(shí)，僅因熱沖擊而在材料內(nèi)部產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力
Thermodynamics 熱力學(xué)：研究熱現(xiàn)象中物質(zhì)系統(tǒng)在平衡時(shí)的性質(zhì)和建立能量的平衡關(guān)系，以及狀態(tài)發(fā)生時(shí)系統(tǒng)與外界相互作用的學(xué)科
Transmittance 透光率：光能通過材料后剩余光能所占百分比
Valence band 價(jià)帶：填滿的電子的能量最高的允帶
Valence bands 允帶：電子能夠占據(jù)的能量區(qū)域
Velocity distribution function 速度分布函數(shù)：描述分子運(yùn)動(dòng)速率分布狀態(tài)的函數(shù) Vescattering of carriers 載流子遷移：載流子在電場作用下產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)的現(xiàn)象
材料物理性能名詞解釋2017-04-09 17:22 | #2樓
鐵電性：電偶極子由于它們的相互作用而產(chǎn)生的自發(fā)平行排列的現(xiàn)象。
屈服極限：中檔應(yīng)力足夠大，材料開始發(fā)生塑性變形，產(chǎn)生塑性變形的最小應(yīng)力。
延展性：指材料受塑性形變而不破壞的能力。
構(gòu)建的受力模型：拉伸、壓縮、剪切、扭轉(zhuǎn)、彎曲
塑性形變：指外力移去后不能恢復(fù)的形變。
熱膨脹：物體的體積或長度隨著溫度的升高而增加的現(xiàn)象稱為熱膨脹，本質(zhì)是點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)中質(zhì)點(diǎn)的平均距離隨溫度升高而增大。
色散：材料的折射率隨入射光頻率的減小而減小的性質(zhì)。
抗熱震性：是指材料承受溫度的劇烈變化而抵抗破壞的能力。
蠕變：對材料施加恒定應(yīng)力時(shí)。應(yīng)變隨時(shí)間的增加而增加，這種現(xiàn)象叫蠕變。此時(shí)彈性模量也將隨時(shí)間的增加而減少。
弛豫：對材料施加恒定應(yīng)變，應(yīng)力隨時(shí)間減少的現(xiàn)象，此時(shí)彈性模量也隨時(shí)間而降低。
滯彈性：對于理想彈性固體，作用應(yīng)力會(huì)立即引起彈性形變，一旦應(yīng)力消除，應(yīng)變也隨之消除。對于實(shí)際固體，這種應(yīng)變的產(chǎn)生和消除需要一定的時(shí)間，這種性質(zhì)叫滯彈性。
粘彈性：有些材料在比較小的應(yīng)力作用下可以同時(shí)表現(xiàn)出彈性和粘性。
虎克定律：材料在正常溫度下，當(dāng)應(yīng)力不大時(shí)其變形是單純的彈性變形，應(yīng)力與應(yīng)變的關(guān)系由實(shí)驗(yàn)建立。
晶格滑移：晶體受力時(shí)，晶體的一部分相對于另一部分發(fā)生平移滑動(dòng)。
應(yīng)力：單位面積上所受的內(nèi)力。 形變：材料在外力作用下，發(fā)生形狀和大小的變化。
應(yīng)變：物質(zhì)內(nèi)部各質(zhì)點(diǎn)之間的相對位移。
本征電導(dǎo)：由晶體點(diǎn)陣的基本離子運(yùn)動(dòng)引起。離子自身隨熱運(yùn)動(dòng)離開晶格形成熱缺陷，缺陷本身是帶電的，可作為離子電導(dǎo)截流子，又叫固有離子電導(dǎo)，在高溫下顯著。
雜質(zhì)電導(dǎo)：由固定較弱的離子的運(yùn)動(dòng)造成，主要是雜質(zhì)離子。在低溫下顯著。雜質(zhì)電導(dǎo)率要比本征電導(dǎo)率大得多。離子晶體的電導(dǎo)主要為雜質(zhì)電導(dǎo)。
熱電效應(yīng)：自發(fā)極化電矩吸附異性電荷，異性電荷屏蔽自發(fā)極化電場而自發(fā)極化對溫度影響當(dāng)溫度變化時(shí)釋放出電荷。
極化:在外電場作用下,介質(zhì)內(nèi)質(zhì)點(diǎn)政府電荷重心的分離,并轉(zhuǎn)變?yōu)榕紭O子,即電介質(zhì)在電場作用下產(chǎn)生感應(yīng)電荷的現(xiàn)象.
自發(fā)極化：這種極化狀態(tài)并非由外加電場所引起而是由晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn)所引起。晶體中每個(gè)晶胞內(nèi)存在固有電偶極矩。
電子位移極化:離子在電場作用下，原子外圍的電子云相對于原子核發(fā)生位移形成的極化。
離子位移極化：離子在電場作用下，偏離平衡位置的移動(dòng)相當(dāng)于形成一個(gè)感生偶極矩。
松弛極化：在材料中存在的弱聯(lián)系電子、離子和偶極子等松弛質(zhì)點(diǎn)時(shí)，熱運(yùn)動(dòng)使這些松弛質(zhì)點(diǎn)分布混亂，而電場力圖使其按電場規(guī)律分布，最后在一定溫度下發(fā)生極化。
轉(zhuǎn)向極化：（偶極子取向極化）：1）發(fā)生在極子分子介質(zhì)中 2）在無外加電場時(shí)，這些極性分子的取向在個(gè)方向的幾率相等，就介質(zhì)整體來講，偶極矩為零。3）在外加電場作用下，偶極子發(fā)生轉(zhuǎn)向，趨于和外加電場方向一致 4）熱運(yùn)動(dòng)同時(shí)抵抗這種趨勢 5）沿外場方向取向的偶極子比反向偶極子多，在宏觀上形成偶極矩。
空間電荷極化：1）發(fā)生在不均勻介質(zhì)中 2）在電場作用下，不均勻介質(zhì)內(nèi)部的正負(fù)間歇離子分別向負(fù)、正極移動(dòng)，引起磁體內(nèi)各點(diǎn)離子密度變化，出現(xiàn)點(diǎn)偶極矩。叫空間電荷極化。
簡答：
影響粘度的因素：1）溫度：一般情況下，溫度升高黏度下降。黏度與溫度的關(guān)系是玻璃成型工藝的條件的重要依據(jù)，不同的材料。黏度隨溫度變化的規(guī)律差別很大。 2）時(shí)間，在玻璃轉(zhuǎn)變區(qū)域，形成玻璃液體的黏度取決于時(shí)間。 3)組成：加入改性陽離子，在網(wǎng)絡(luò)中形成了比較弱的Si-O鍵，降低體系的黏度。
影響蠕變的因素：1）氣孔：氣孔增加，抗蠕變的有效截面積減少，蠕變增加。2）應(yīng)力：蠕變隨應(yīng)力的增大而增大，若材料施加壓應(yīng)力，則增加了蠕變的阻力。 3）晶粒大�。壕ЯＰ�，晶界比例增加，晶界擴(kuò)散和晶界流動(dòng)對蠕變的貢獻(xiàn)增加，蠕變率增加。 4）溫度：溫度升高，位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)和晶界位錯(cuò)加速，擴(kuò)散系數(shù)增加，蠕變增大。 5）結(jié)合力越大，越不容易發(fā)生蠕變。 6）隨著共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)強(qiáng)度增加，擴(kuò)散及位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)降低。
滑移產(chǎn)生的條件：1：從幾何因素考慮，滑移方向上同號離子間柏氏矢量較小 2：從靜電作用因素考慮，滑移過程中不會(huì)遇到同號離子的巨大排斥力。
愛因斯坦模型：假設(shè)每一個(gè)原子都是一個(gè)獨(dú)立的振子，原子之間彼此無關(guān)，并且都是以相同的頻率振動(dòng)。在高溫時(shí)與經(jīng)典公式一致。低溫時(shí)熱容值按指數(shù)律隨溫度變化，下降太多。原因：原子的振動(dòng)不是彼此獨(dú)立的，原子間彼此有耦合作用，低溫時(shí)這一效應(yīng)尤其顯著。
德拜的比熱模型：考慮了晶體中原子的相互作用，把晶體近似為連續(xù)介質(zhì)，與實(shí)驗(yàn)的結(jié)果符合。無法解釋超導(dǎo)現(xiàn)象。
防止裂紋擴(kuò)展的措施：1.使作用應(yīng)力小于臨界應(yīng)力，2.在材料中設(shè)置能吸收能量的機(jī)構(gòu)，3.在材料中人為造
成大量極微小的裂紋，吸收能量，防止裂紋擴(kuò)展。
裂紋的起源：1.晶體微觀結(jié)構(gòu)中存在缺陷，在外力作用下，缺陷處應(yīng)力集中，導(dǎo)致裂紋成核，2.材料表面的機(jī)械損傷與化學(xué)腐蝕形成表面裂紋，3.由于熱應(yīng)力形成裂紋。多數(shù)無機(jī)材料是多晶多相晶體，晶粒在材料內(nèi)部取向不同，不同向的熱膨脹系數(shù)也不同，由于膨脹和收縮導(dǎo)致應(yīng)力集中，產(chǎn)生裂紋。材料的斷裂強(qiáng)度不是取決于裂紋的數(shù)量，而是取決于裂紋的大小，有最危險(xiǎn)的裂紋尺寸決定材料的斷裂強(qiáng)度。一旦裂紋超過臨界尺寸就迅速擴(kuò)展使材料斷裂。
提高無機(jī)材料強(qiáng)度和改進(jìn)材料韌性的途徑：控制材料的強(qiáng)度主要因素有3個(gè)：彈性模量，斷裂功（斷裂表面能)l裂紋尺寸。1.微晶、高密度、高純度 2.人為的預(yù)加應(yīng)力，在材料的表面造成一層壓應(yīng)力層 3.相變增韌，利用多晶多相陶瓷中某些相成分在不同溫度的相變，從而增韌的效果 4.彌散增韌，在基體中滲入一定顆粒尺寸的微細(xì)粉料，從而增韌的效果。
簡述壓電體熱電體的實(shí)質(zhì)：壓電性就是沒有中心反演對稱的一些帶有離子鍵的晶體，按所施加的機(jī)械應(yīng)力成比例地產(chǎn)生電荷的能力，具有壓電效應(yīng)的物體為壓電體。 熱電體同時(shí)也是壓電體，由于鐵電體為極性晶體，不但要求晶體沒有對稱中心，而且本身要具有固有偶極距，因此具有壓電性的材料不一定是鐵電體。鐵電性指由于偶極子相互作用而產(chǎn)生的自發(fā)平行排列的現(xiàn)象。
影響熱導(dǎo)率的因素：1.溫度影響，低溫下熱容與溫度的3次方成比例，高溫下趨于一恒定值，
2.晶體結(jié)構(gòu)的影響 3.化學(xué)組成的影響 4.氣孔的影響 5.復(fù)相陶瓷的熱導(dǎo)率
溫度對陶瓷材料性能的影響：1.對熱導(dǎo)率有影響 2.對膨脹系數(shù)有影響，一般膨脹系數(shù)隨溫度升高而升高 3.對熱容有影響，同一物質(zhì)在不同溫度時(shí)熱容往往不同 4.對陶瓷坯釉適應(yīng)性有影響 5.對材料電導(dǎo)率有一定影響，一般溫度越高電導(dǎo)率越低。
提高無機(jī)材料透光性的措施：1.提高原料的純度，對制作材料的原料進(jìn)行提純 2.盡可能減少晶粒的雙折射，使晶界玻璃相的折射率與主晶相的相差不大，減少晶界的反射及散射損失 3.減少氣孔引起的散射損失 4.可采用熱鍛法使陶瓷織構(gòu)化，改善其性能 5.在氧化鋁陶瓷中，除加入MgO外，還加入Y2O3、La2O3等外加劑。
降低材料的介質(zhì)損耗：1.盡量選擇結(jié)構(gòu)緊密的晶體作為主晶相 2.改善主晶體相，盡量避免產(chǎn)生缺位固溶體或填隙固溶體，最好形成連續(xù)固溶體 3.盡量減少玻璃相 4.防止產(chǎn)生多晶轉(zhuǎn)變 5.選擇合適的燒成氣氛 6.為了減小氣孔率，必須控制好最終燒結(jié)溫度 7.在工藝過程中應(yīng)防止雜質(zhì)的混入，坯體要致密。
提高抗熱沖擊性的措施：1.提高材料強(qiáng)度，減小彈性模量 2.提高材料熱導(dǎo)率使第二熱應(yīng)力因子提高 3.減小材料的熱膨脹系數(shù) 4.減小表面熱傳遞系數(shù) 5.減小產(chǎn)品的有效厚度
損耗的形式：1）電導(dǎo)損耗：在電場作用下，介質(zhì)中會(huì)有泄露電流流過，有漏導(dǎo)電流引起的電導(dǎo)損耗。 2）極化損耗：主要與極化的松弛過程有關(guān)，如才建立極化到其穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)間很短，則幾乎不產(chǎn)生能量損耗。但對于偶極子轉(zhuǎn)向極化和空間電荷極化，時(shí)間較長，損耗能量。
降低材料的介質(zhì)損耗應(yīng)從降低材料的電導(dǎo)損耗和極化損耗的方面考慮：1盡量選擇結(jié)構(gòu)緊密的晶體作為主晶相 2：改善主晶相，盡量避免產(chǎn)生缺位固溶體或填隙固溶體，最好形成連續(xù)固溶體 3：盡量減少玻璃相 4：防止產(chǎn)生多晶轉(zhuǎn)變 5：選擇合適的燒成氣氛 6：為了減少氣孔率必須控制好最終燒成溫度 7：應(yīng)防
止雜質(zhì)的混入，坯體要致密。
提高無機(jī)材料強(qiáng)度的途徑：決定材料強(qiáng)度的本質(zhì)因素是材料內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)的結(jié)合力。提高材料的強(qiáng)度是指提高其抗彈性、塑性及斷裂形變的能力，這幾項(xiàng)主要決定的指標(biāo)是E或者G，r及裂紋長度。彈性模量表示原子間的結(jié)合力，它是一種結(jié)構(gòu)不敏感性能常數(shù)，r則與微觀結(jié)構(gòu)有關(guān)。故關(guān)鍵的因素是裂紋長度，因?yàn)榱鸭y長度與工藝過程有關(guān)，是可以改變的，所起的效果也是不錯(cuò)的。
影響彈性模量的因素：1 晶體結(jié)構(gòu)的影響 2 溫度的影響 3 復(fù)相的彈性模量
彈性形變的特點(diǎn)：1卸載后形變完全可逆 2應(yīng)力與形變量間呈線性關(guān)系 3較小的負(fù)荷就可以引起彈性形變。
斷裂韌性的測試方法：1單邊直通切口梁法（SENB） 2雙扭法（DT法）
影響折射率的因素：1構(gòu)成材料元素的離子單位和電子結(jié)構(gòu) 2：材料的結(jié)構(gòu)，晶型和非晶態(tài) 3：同質(zhì)異構(gòu)體 4：外界因素對折射率的影響。
雙折射現(xiàn)象：當(dāng)光束通過各項(xiàng)異性介質(zhì)的表面時(shí)由于在各方向上的折射率程度不同，折射廣會(huì)分成兩束沿著不同的方向的傳播。
影響光的散射系數(shù)的因素：1：粒子直徑和波長的比值 2：微粒和介質(zhì)的相對折射率 3：入射光束所對應(yīng)的立體角 4:粒子的相撞和它在光束中的取向。
纖維強(qiáng)化作用應(yīng)注意：1纖維應(yīng)盡可能多地承擔(dān)外加負(fù)荷 2：結(jié)合強(qiáng)度不能太差 3：應(yīng)力作用的方向應(yīng)與纖維平行 4：纖維與基體的熱膨脹系數(shù)應(yīng)相匹配 5：二者在高溫下的化學(xué)要兼容。
靜載壓的硬度測試方法有：布氏硬度、維氏硬度、洛氏硬度
塑性形變的速率取決于：1位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)速度 2位錯(cuò)密度 3柏格斯交量 4位錯(cuò)的增殖系數(shù)
物質(zhì)的磁性：1順磁性 2鐵磁性（完全鐵磁性和亞鐵磁性） 3反鐵磁性 4抗磁性
鐵磁性和鐵電性的本質(zhì)差別：鐵電性是由離子位移引起的，而鐵磁性是由原子取向引起的；鐵電性在非對稱的晶體中發(fā)生，而鐵磁性發(fā)生在次價(jià)電子的非平衡自旋中；鐵電體的居里點(diǎn)是由于熵的增加（晶體相變），而鐵磁體的居里點(diǎn)是原子的無規(guī)則振動(dòng)破壞了原子間的“交換”作用，從而使自發(fā)磁化消失引起的。
影響抗熱震斷裂性的因素：1強(qiáng)度2彈性模量3膨脹系數(shù)4熱導(dǎo)率；抗熱震損傷性的因素：1抗熱應(yīng)力損傷因子R和R 2微觀結(jié)構(gòu) 3熱膨脹系數(shù) 4熱導(dǎo)率
利用霍爾效應(yīng)（電子電導(dǎo)的特征）可檢查材料是否存在電子電導(dǎo)；利用電解效應(yīng)（離子電導(dǎo)的特征）檢驗(yàn)材料是否存在離子電導(dǎo)。
影響比熱容的因素：1 能量電子狀態(tài) 2 置換過程 3 晶體缺陷 4 玻璃結(jié)構(gòu) 5 鍵強(qiáng) 6彈性模量 7 熔點(diǎn) 8 氣孔
高溫低頻下材料主要為電導(dǎo)損耗；高頻常溫下材料主要為松弛極化損耗；高頻低溫下材料為結(jié)構(gòu)損耗。
極性物質(zhì)：有具有電偶極矩的粒子組成的宏觀物質(zhì)。
極化強(qiáng)度：單位體積內(nèi)所有粒子的電偶極矩的矢量和。
介電損耗：電場作用下能量損耗，由電能轉(zhuǎn)化為其他形式能，如熱能、光能等，它是導(dǎo)致電介質(zhì)發(fā)生熱擊穿根源。
滑移與攀移的區(qū)別;滑移與外力有關(guān)，而攀移與晶體中的空位和間隙原子的濃度及擴(kuò)散系數(shù)等有關(guān)。
多晶塑性變形：1 晶體中的位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)引起塑變 2晶粒與晶粒間晶界的相對滑動(dòng) 3空位擴(kuò)散 4 黏性流動(dòng)
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