材料分析方法名詞解釋

特征X射線：激發(fā)電壓使得電子有足夠的能量時(shí)�？墒拱性�子內(nèi)層產(chǎn)生空位，此時(shí)較外層電子向內(nèi)層躍遷產(chǎn)生輻射

DTA：差熱分析（DTA）是在程序控制溫度條件下，側(cè)臉樣品與參比物之間溫度差與溫度的關(guān)系的一種熱分析方法。

DTA曲線：相應(yīng)的溫差熱電勢(shì)訊號(hào)經(jīng)放大后送入記錄儀。從而可以得到以T為縱坐標(biāo)，溫度或時(shí)間為橫坐標(biāo)的曲線

DSC：差示掃描量熱法（DSC）是程序控溫條件下，直接測(cè)量樣品在升溫、降溫或恒溫過程中所吸收或釋放出的能量。

DSC曲線：以熱流率dH/dT為縱坐標(biāo)。時(shí)間或溫度為橫坐標(biāo)的曲線

生色團(tuán)：n-π*和π-π*躍遷要求分子中存在具有派軌道的不飽和基團(tuán)。這種不飽和基團(tuán)的吸收中心為生色團(tuán)。

助色團(tuán)：有些官能團(tuán)本身并不在紫外區(qū)產(chǎn)生吸收，但它們能使生色團(tuán)的光譜峰向長(zhǎng)波去并使其強(qiáng)度增加的作用，這種官能團(tuán)叫助色團(tuán)。

衍射襯度：由于晶體對(duì)電子的衍射效應(yīng)而形成的襯度。

質(zhì)厚襯度：由于樣品不同微區(qū)間存在原子序數(shù)或厚度的差異而形成的襯度。

特征頻率區(qū)：中紅外區(qū)光譜中波數(shù)在4000cm-1-1300 cm-1的為特征頻率區(qū)，也叫官能團(tuán)區(qū)。有比較明確的基團(tuán)和頻率對(duì)應(yīng)關(guān)系，主要是伸縮振動(dòng)譜帶。

指紋區(qū)：中紅外區(qū)光譜中波數(shù)在1300 cm-1-400cm-1的區(qū)域，反映了分子結(jié)構(gòu)的細(xì)微變化。 紅移：當(dāng)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)或存在的環(huán)境發(fā)生變化時(shí)，其吸收帶的最大吸收峰波長(zhǎng)（λmax）向長(zhǎng)波長(zhǎng)方向移動(dòng)，這種現(xiàn)象稱為紅移（或稱為“向紅”）。

藍(lán)移: 當(dāng)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)或存在的環(huán)境發(fā)生變化時(shí)，其吸收帶的最大吸收波長(zhǎng)（λmax）向短波方向移動(dòng)，這種現(xiàn)象稱為紫移或藍(lán)移（或向藍(lán)）

能譜儀：能量分散（色散）譜儀簡(jiǎn)稱能譜儀，EDS，檢測(cè)特征X射線的能量。

優(yōu)點(diǎn)：

(1)定性分析速度快 可在幾分鐘內(nèi)分析和確定樣品中含有的 幾乎所有元素。

(2)靈敏度高 X射線收集立體角大，空間分辨率高。

(3)譜線重復(fù)性好 適合于表面比較粗糙的分析工作。

缺點(diǎn)：

(1)能量分辨率低，峰背比低。能譜儀的能量分辨率(130eV)比 波譜儀的能量分辨率(5eV)低。

(2)工作條件要求嚴(yán)格。

(3)定量分析精度不如波譜儀。

波譜儀：波長(zhǎng)分散（色散）譜儀簡(jiǎn)稱波譜儀，WDS，檢測(cè)X射線的波長(zhǎng)。

優(yōu)點(diǎn)：

（1）波長(zhǎng)分辨率很高

（2）分析的元素范圍寬

（3）定量比能譜儀準(zhǔn)確。

缺點(diǎn)：

（1）X射線信號(hào)的利用率極低；

（2）靈敏度低，難以在低束流和低激發(fā)強(qiáng)度下使用；

（3）分析速度慢，不適合定性分析；

材料分析測(cè)試方法名詞解釋2017-04-09 17:25 | #2樓

1、連續(xù)X射線譜：由波長(zhǎng)連續(xù)變化的X射線構(gòu)成，也稱白色X 射線或多色X射線。

2、短波限：連續(xù)X射線譜在短波方向的最短波長(zhǎng)，即光子一次碰撞就耗盡能量所產(chǎn)生的X光子的波長(zhǎng)，稱為短波限λ0。

3、吸收限：指X射線通過物質(zhì)時(shí)光子的能量大于或等于使物質(zhì)原子激發(fā)的能量，如入射光子的能量必須大于或等于將K電子從無窮遠(yuǎn)移至K層時(shí)所做的功W，稱此時(shí)的光子波長(zhǎng)λ為K系的吸收限。

4、X射線強(qiáng)度：垂直X射線傳播方向的單位面積上在單位時(shí)間內(nèi)所通過的光子數(shù)目的能量總和。

5、特征X射線譜：由一定波長(zhǎng)的若干X射線疊加在連續(xù)譜上構(gòu)成，也稱單色X射線和標(biāo)識(shí)X射線。

6、特征X射線：原子內(nèi)層電子受到激發(fā)后，在能級(jí)躍遷過程中直接釋放的具有特征能量和波長(zhǎng)的一種電磁波。

7、光電效應(yīng)：光與物質(zhì)相互作用產(chǎn)生電子的現(xiàn)象。X射線與物質(zhì)的相互作用可以看成是X光子與物質(zhì)中原子的相互碰撞。當(dāng)X光子具有足夠能量時(shí)，可以將原子內(nèi)層電子擊出，該電子稱為光電子。原子處于激發(fā)態(tài)，外層電子向內(nèi)層空位躍遷，多余能量以輻射方式釋放，即二次特征X射線或熒光X射線。這一過程即為X射線的光電效應(yīng)。

MhMe

8、倒易點(diǎn)陣：在晶體點(diǎn)陣（正點(diǎn)陣）基礎(chǔ)上按一定對(duì)應(yīng)關(guān)系構(gòu)建的一個(gè)空間點(diǎn)陣。方向—倒易基矢垂直于正點(diǎn)陣中異名基矢構(gòu)成的平面長(zhǎng)度—倒易基矢與正點(diǎn)陣矢量間是倒數(shù)關(guān)系

9、倒易矢量：由倒易原點(diǎn)指向任意倒易陣點(diǎn)的方向矢量。 10、布拉格方程：d-衍射晶面間距；θ-掠射角；λ-入射線波長(zhǎng)；n-反射級(jí)數(shù)

11、反射球：以波矢量大小的倒數(shù)（1/λ）為半徑,作一個(gè)球面,從球心向球面與倒易點(diǎn)陣的交點(diǎn)的射線為波的衍射線,這個(gè)球面稱為反射球，也稱厄瓦爾德球。

12、倒易球：多晶體由很多小晶粒（亞晶粒）構(gòu)成，這些晶粒在空間的取向各不相同。這些取向不同的晶粒中同名的（HKL）晶面對(duì)應(yīng)的倒易矢量的長(zhǎng)度都為1/dHKL，對(duì)應(yīng)的倒易點(diǎn)在空間構(gòu)成一個(gè)半徑為1/dHKL的球，即倒易球。

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13、勞厄法：用連續(xù)X射線照射單晶體的衍射方法。

14、周轉(zhuǎn)晶體法：用單色X射線照射轉(zhuǎn)動(dòng)的單晶體的衍射方法。

15、粉末衍射法（多晶法）：用單色X射線照射粉末多晶體的衍射方法。

16、f ：原子散射因子。 Aa一個(gè)原子散射波振幅f Ae一個(gè)電子散射波振幅

17、F：以一個(gè)散射波振幅為單位的晶胞散射波合成振幅。

FHKL

nAb晶胞內(nèi)各原子散射波合成振幅Ae一個(gè)電子散射波振幅ij

18、系統(tǒng)消光：由于|F|2=0引起的衍射線消失的現(xiàn)象稱為系統(tǒng)消光。分為兩類：點(diǎn)陣消光和結(jié)構(gòu)消光。 fjej1fjej1ni2HxjKyjLzj

19、點(diǎn)陣消光：只決定于晶胞中原子位置的消光現(xiàn)象。

20、結(jié)構(gòu)消光：在點(diǎn)陣消光的基礎(chǔ)上因結(jié)構(gòu)基元內(nèi)原子位置不同而產(chǎn)生的附加消光（如金剛石結(jié)構(gòu)）。

21、|G|2稱為干涉函數(shù)，又稱形狀因子。

22、晶帶：在晶體結(jié)構(gòu)或空間點(diǎn)陣中， 與某一取向平行的所有晶面均屬于同一個(gè)晶帶。

23、聚焦圓：X射線衍射儀法中，樣、光源和光闌必須位于同一圓周上才能獲得足夠高的衍射強(qiáng)度和分辨率。此圓周稱為聚焦圓。

24、輻射探測(cè)器：接收樣品發(fā)射的X射線（X光子），并將光子信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娒}沖信號(hào)（瞬時(shí)脈沖）的裝置。

25、閃爍計(jì)數(shù)器：利用X射線作用在某些物質(zhì)（磷光體）上產(chǎn)生可見熒光，并通過光電倍增管來接收的探測(cè)器。

26、物相分析：確定物質(zhì)的相組成和各組成相的相對(duì)含量，前者稱物相定性分析，后者稱物相定量分析。

27、透射電子顯微鏡（TEM）：以波長(zhǎng)很短的電子束作為照明源，用電磁透鏡成像的一種具有高分辨本領(lǐng)、高放大倍數(shù)的電子光學(xué)儀器。

28、分辨率：把兩個(gè)Airy斑中心距離等于Airy斑半徑時(shí)物平面上相應(yīng)兩個(gè)物點(diǎn)間的距離定義為透鏡能分辨的最小間距，即透鏡分辨率。

29、球差：由于電磁透鏡近軸區(qū)域和遠(yuǎn)軸區(qū)域磁場(chǎng)對(duì)電子折射能力不同而產(chǎn)生的一種像差。

30、像散：由于透鏡磁場(chǎng)的非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱引起的像差。

31、色差：由于成像電子的能量不同或變化，從而在透鏡磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)軌跡不同，不能在一點(diǎn)聚焦而形成的像差。

32、景深：成像時(shí)，像平面不動(dòng)（像距不變），在滿足成像清晰的前提下，物平面沿軸線前后可移動(dòng)的距離。

33、焦長(zhǎng)：成像時(shí)物點(diǎn)固定不動(dòng)（物距不變），在滿足成像清晰的前提下，像平面沿軸線前后可移動(dòng)的距離。

34、消像散器：對(duì)電磁透鏡磁場(chǎng)橢圓度進(jìn)行補(bǔ)償矯正的儀器。

35、高階勞厄斑點(diǎn)：高階勞厄區(qū)倒易桿與反射球相交形成的斑點(diǎn)。過倒易原點(diǎn)的倒易面——零層倒易面，也叫作零階勞厄區(qū)。

36、超點(diǎn)陣斑點(diǎn)：當(dāng)晶體內(nèi)部的原子或離子發(fā)生有規(guī)律的位移或不同種原子產(chǎn)生有序排列時(shí)，使得原來消光的斑點(diǎn)重新出現(xiàn)，這種額外的斑點(diǎn)稱為超點(diǎn)陣斑點(diǎn)。

37、二次衍射斑點(diǎn)：電子受原子散射作用強(qiáng)，致使衍射束強(qiáng)度可與透射束強(qiáng)度相當(dāng)，一次衍射束作為新的入射束產(chǎn)生“二次衍射”。 “二次衍射”使得一些|FHKL|=0的消光又出現(xiàn)強(qiáng)度，這種斑點(diǎn)稱為“二次衍射斑點(diǎn)”。

38、菊池花樣：當(dāng)電子束穿透較厚單晶樣品時(shí)，除了衍射斑點(diǎn)外還會(huì)出現(xiàn)一些平行的亮暗線對(duì)，此即為菊池花樣或菊池線——是非彈性散射的電子又被彈性散射的結(jié)果。

39、電子顯微圖像：物鏡背焦面上各衍射斑點(diǎn)的球面波在物鏡像平面上干涉所成圖像，具有黑白襯度，且與樣品的微觀組織相對(duì)應(yīng)。

40、像襯度：圖像上不同區(qū)域間明暗程度的差別。是在物鏡背焦面上通過物鏡光闌選擇透射斑或衍射斑成像的結(jié)果。

41、質(zhì)厚襯度：由于樣品上不同微區(qū)質(zhì)量（原子序數(shù)Z）或厚度差異而形成的襯度，是解釋非晶體樣品電子顯微圖像襯度的理論依據(jù)。

42、非彈性散射：入射電子與核外電子相互作用，除了方向的改變還有能量的變化。

43、衍襯襯度：由于晶體樣品中各處衍射束強(qiáng)度差異而形成的襯度。對(duì)于沒有成分差異

的單相材料，衍襯襯度是由樣品各處滿足布拉格條件程度的差異造成的。

44、中心暗場(chǎng)成像：將入射束反向傾斜一個(gè)相應(yīng)角度，使散射電子沿光軸傳播。

45、雙光束條件：對(duì)于晶體樣品，在明場(chǎng)像條件下只有(HKL)面滿足衍射條件（衍射強(qiáng)度IHKL），其余晶面均與衍射條件存在較大偏差（衍射強(qiáng)度視為零），此時(shí)除直射束外只有一個(gè)強(qiáng)衍射束即(HKL)衍射束，構(gòu)成“雙光束條件”。

46、相位襯度：由于入射電子束相位改變而引起的襯度。

47、消光距離：強(qiáng)烈的動(dòng)力學(xué)相互作用的結(jié)果，使得I0和Ig在晶體深度方向上發(fā)生周期性的振蕩。振蕩的深度周期即為“消光距離”——ξg

48、掃描電子顯微鏡：繼透射電子顯微鏡后發(fā)展起來的一種電子顯微鏡。用細(xì)聚焦的電子束轟擊樣品表面，通過對(duì)電子與樣品相互作用產(chǎn)生的各種信息進(jìn)行收集、處理，從而獲得微觀形貌放大像。

49、背散射電子：被固體樣品中的原子核反彈回來的一部分入射電子，包括彈性背散射電子和非彈性背散射電子。

50、二次電子：被入射電子轟擊出來的核外電子，通常為外層電子。

51、吸收電子：經(jīng)樣品多次非彈性散射，能量損失殆盡，最后被樣品吸收的那部分入射電子。

52、透射電子：當(dāng)樣品厚度小于電子有效穿透深度時(shí)，穿過樣品而出的那些入射電子。

53、俄歇電子：原子內(nèi)層電子受到激發(fā)后，在能級(jí)躍遷過程中釋放出來的能量ΔE使得核外另一個(gè)電子電離并逸出樣品表面，稱為俄歇電子。

54、表面形貌襯度：由于試樣表面形貌差別而形成的襯度。

55、原子序數(shù)襯度：由于樣品表面物質(zhì)原子序數(shù)或化學(xué)成分差異而形成的襯度。

56、電子探針X射線顯微分析：EPMA是一種顯微分析和成分分析相結(jié)合的微區(qū)分析，特別適用于分析樣品中微小區(qū)域的化學(xué)成分。

57、分光晶體：用來對(duì)X射線起色散作用的晶體。

58、定點(diǎn)定性分析：對(duì)試樣某一選定點(diǎn)（區(qū)域）進(jìn)行定性成分分，以確定該點(diǎn)區(qū)域內(nèi)存在的元素。

59、線掃描分析：使聚焦電子束在樣品觀察區(qū)內(nèi)沿一選定直線（穿越粒子或界面）進(jìn)行慢掃描，X射線譜儀處于探測(cè)某一元素特征X射線狀態(tài)。

60、XPS：利用特征X-ray激發(fā)樣品光電效應(yīng)產(chǎn)生光電子，收集檢測(cè)光電子能量來確定樣品元素組成和狀態(tài)。

61、化學(xué)位移：同種原子處于不同化學(xué)環(huán)境而引起的電子結(jié)合能變化在譜線上造成的位移。

62、物理位移：由于固體的熱效應(yīng)與電荷電效應(yīng)等物理因素引起電子結(jié)合能改變，從而導(dǎo)致光電子譜峰位移，即物理位移。

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