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材料分析測試方法名詞解釋

時(shí)間:2023-03-29 09:27:31 賽賽 名詞解釋 我要投稿
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材料分析測試方法名詞解釋

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  材料分析測試方法名詞解釋1

  1、連續(xù)X射線譜:由波長連續(xù)變化的X射線構(gòu)成,也稱白色的X 射線或多色的X射線。

  2、短波限:連續(xù)X射線譜在短波方向的最短波長,即光子一次碰撞就耗盡能量所產(chǎn)生的X光子的波長,稱為短波限λ0。

  3、吸收限:指X射線通過物質(zhì)時(shí)光子的能量大于或等于使物質(zhì)原子激發(fā)的能量,如入射光子的能量必須大于或等于將K電子從無窮遠(yuǎn)移至K層時(shí)所做的功W,稱此時(shí)的光子波長λ為K系的吸收限。

  4、X射線強(qiáng)度:垂直X射線傳播方向的單位面積上在單位時(shí)間內(nèi)所通過的光子數(shù)目的能量總和。

  5、特征X射線譜:由一定波長的若干X射線疊加在連續(xù)譜上構(gòu)成,也稱單色的X射線和標(biāo)識X射線。

  6、特征X射線:原子內(nèi)層電子受到激發(fā)后,在能級躍遷過程中直接釋放的具有特征能量和波長的一種電磁波。

  7、光電效應(yīng):光與物質(zhì)相互作用產(chǎn)生電子的現(xiàn)象。X射線與物質(zhì)的相互作用可以看成是X光子與物質(zhì)中原子的相互碰撞。當(dāng)X光子具有足夠能量時(shí),可以將原子內(nèi)層電子擊出,該電子稱為光電子。原子處于激發(fā)態(tài),外層電子向內(nèi)層空位躍遷,多余能量以輻射方式釋放,即二次特征X射線或熒光X射線。這一過程即為X射線的光電效應(yīng)。

  8、倒易點(diǎn)陣:在晶體點(diǎn)陣(正點(diǎn)陣)基礎(chǔ)上按一定對應(yīng)關(guān)系構(gòu)建的一個(gè)空間點(diǎn)陣。方向—倒易基矢垂直于正點(diǎn)陣中異名基矢構(gòu)成的平面長度—倒易基矢與正點(diǎn)陣矢量間是倒數(shù)關(guān)系

  9、倒易矢量:由倒易原點(diǎn)指向任意倒易陣點(diǎn)的方向矢量。

  10、布拉格方程:d-衍射晶面間距;θ-掠射角;λ-入射線波長;n-反射級數(shù)

  11、反射球:以波矢量大小的倒數(shù)(1/λ)為半徑,作一個(gè)球面,從球心向球面與倒易點(diǎn)陣的交點(diǎn)的射線為波的衍射線,這個(gè)球面稱為反射球,也稱厄瓦爾德球。

  12、倒易球:多晶體由很多小晶粒(亞晶粒)構(gòu)成,這些晶粒在空間的取向各不相同。這些取向不同的晶粒中同名的(HKL)晶面對應(yīng)的倒易矢量的長度都為1/dHKL,對應(yīng)的倒易點(diǎn)在空間構(gòu)成一個(gè)半徑為1/dHKL的球,即倒易球。

  13、勞厄法:用連續(xù)X射線照射單晶體的衍射方法。

  14、周轉(zhuǎn)晶體法:用單色的X射線照射轉(zhuǎn)動(dòng)的單晶體的衍射方法。

  15、粉末衍射法(多晶法):用單色的X射線照射粉末多晶體的衍射方法。

  16、f :原子散射因子。

  17、F:以一個(gè)散射波振幅為單位的晶胞散射波合成振幅。

  18、系統(tǒng)消光:由于|F|2=0引起的衍射線消失的現(xiàn)象稱為系統(tǒng)消光。分為兩類:點(diǎn)陣消光和結(jié)構(gòu)消光。

  19、點(diǎn)陣消光:只決定于晶胞中原子位置的消光現(xiàn)象。

  20、結(jié)構(gòu)消光:在點(diǎn)陣消光的基礎(chǔ)上因結(jié)構(gòu)基元內(nèi)原子位置不同而產(chǎn)生的附加消光(如金剛石結(jié)構(gòu))。

  21、|G|2稱為干涉函數(shù),又稱形狀因子。

  22、晶帶:在晶體結(jié)構(gòu)或空間點(diǎn)陣中, 與某一取向平行的所有晶面均屬于同一個(gè)晶帶。

  23、聚焦圓:X射線衍射儀法中,樣、光源和光闌必須位于同一圓周上才能獲得足夠高的衍射強(qiáng)度和分辨率。此圓周稱為聚焦圓。

  24、輻射探測器:接收樣品發(fā)射的X射線(X光子),并將光子信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娒}沖信號(瞬時(shí)脈沖)的裝置。

  25、閃爍計(jì)數(shù)器:利用X射線作用在某些物質(zhì)(磷光體)上產(chǎn)生可見熒光,并通過光電倍增管來接收的探測器。

  26、物相分析:確定物質(zhì)的相組成和各組成相的相對含量,前者稱物相定性分析,后者稱物相定量分析。

  27、透射電子顯微鏡(TEM):以波長很短的電子束作為照明源,用電磁透鏡成像的一種具有高分辨本領(lǐng)、高放大倍數(shù)的電子光學(xué)儀器。

  28、分辨率:把兩個(gè)Airy斑中心距離等于Airy斑半徑時(shí)物平面上相應(yīng)兩個(gè)物點(diǎn)間的距離定義為透鏡能分辨的最小間距,即透鏡分辨率。

  29、球差:由于電磁透鏡近軸區(qū)域和遠(yuǎn)軸區(qū)域磁場對電子折射能力不同而產(chǎn)生的一種像差。

  30、像散:由于透鏡磁場的非旋轉(zhuǎn)對稱引起的像差。

  31、色差:由于成像電子的能量不同或變化,從而在透鏡磁場中運(yùn)動(dòng)軌跡不同,不能在一點(diǎn)聚焦而形成的像差。

  32、景深:成像時(shí),像平面不動(dòng)(像距不變),在滿足成像清晰的前提下,物平面沿軸線前后可移動(dòng)的距離。

  33、焦長:成像時(shí)物點(diǎn)固定不動(dòng)(物距不變),在滿足成像清晰的前提下,像平面沿軸線前后可移動(dòng)的.距離。

  34、消像散器:對電磁透鏡磁場橢圓度進(jìn)行補(bǔ)償矯正的儀器。

  35、高階勞厄斑點(diǎn):高階勞厄區(qū)倒易桿與反射球相交形成的斑點(diǎn)。過倒易原點(diǎn)的倒易面——零層倒易面,也叫作零階勞厄區(qū)。

  36、超點(diǎn)陣斑點(diǎn):當(dāng)晶體內(nèi)部的原子或離子發(fā)生有規(guī)律的位移或不同種原子產(chǎn)生有序排列時(shí),使得原來消光的斑點(diǎn)重新出現(xiàn),這種額外的斑點(diǎn)稱為超點(diǎn)陣斑點(diǎn)。

  37、二次衍射斑點(diǎn):電子受原子散射作用強(qiáng),致使衍射束強(qiáng)度可與透射束強(qiáng)度相當(dāng),一次衍射束作為新的入射束產(chǎn)生“二次衍射”。 “二次衍射”使得一些|FHKL|=0的消光又出現(xiàn)強(qiáng)度,這種斑點(diǎn)稱為“二次衍射斑點(diǎn)”。

  38、菊池花樣:當(dāng)電子束穿透較厚單晶樣品時(shí),除了衍射斑點(diǎn)外還會出現(xiàn)一些平行的亮暗線對,此即為菊池花樣或菊池線——是非彈性散射的電子又被彈性散射的結(jié)果。

  39、電子顯微圖像:物鏡背焦面上各衍射斑點(diǎn)的球面波在物鏡像平面上干涉所成圖像,具有黑白襯度,且與樣品的微觀組織相對應(yīng)。

  40、像襯度:圖像上不同區(qū)域間明暗程度的差別。是在物鏡背焦面上通過物鏡光闌選擇透射斑或衍射斑成像的結(jié)果。

  41、質(zhì)厚襯度:由于樣品上不同微區(qū)質(zhì)量(原子序數(shù)Z)或厚度差異而形成的襯度,是解釋非晶體樣品電子顯微圖像襯度的理論依據(jù)。

  42、非彈性散射:入射電子與核外電子相互作用,除了方向的改變還有能量的變化。

  43、衍襯襯度:由于晶體樣品中各處衍射束強(qiáng)度差異而形成的襯度。對于沒有成分差異的單相材料,衍襯襯度是由樣品各處滿足布拉格條件程度的差異造成的。

  44、中心暗場成像:將入射束反向傾斜一個(gè)相應(yīng)角度,使散射電子沿光軸傳播。

  45、雙光束條件:對于晶體樣品,在明場像條件下只有(HKL)面滿足衍射條件(衍射強(qiáng)度IHKL),其余晶面均與衍射條件存在較大偏差(衍射強(qiáng)度視為零),此時(shí)除直射束外只有一個(gè)強(qiáng)衍射束即(HKL)衍射束,構(gòu)成“雙光束條件”。

  46、相位襯度:由于入射電子束相位改變而引起的襯度。

  47、消光距離:強(qiáng)烈的動(dòng)力學(xué)相互作用的結(jié)果,使得I0和Ig在晶體深度方向上發(fā)生周期性的振蕩。振蕩的深度周期即為“消光距離”——ξg

  48、掃描電子顯微鏡:繼透射電子顯微鏡后發(fā)展起來的一種電子顯微鏡。用細(xì)聚焦的電子束轟擊樣品表面,通過對電子與樣品相互作用產(chǎn)生的各種信息進(jìn)行收集、處理,從而獲得微觀形貌放大像。

  49、背散射電子:被固體樣品中的原子核反彈回來的一部分入射電子,包括彈性背散射電子和非彈性背散射電子。

  50、二次電子:被入射電子轟擊出來的核外電子,通常為外層電子。

  51、吸收電子:經(jīng)樣品多次非彈性散射,能量損失殆盡,最后被樣品吸收的那部分入射電子。

  52、透射電子:當(dāng)樣品厚度小于電子有效穿透深度時(shí),穿過樣品而出的那些入射電子。

  53、俄歇電子:原子內(nèi)層電子受到激發(fā)后,在能級躍遷過程中釋放出來的能量ΔE使得核外另一個(gè)電子電離并逸出樣品表面,稱為俄歇電子。

  54、表面形貌襯度:由于試樣表面形貌差別而形成的襯度。

  55、原子序數(shù)襯度:由于樣品表面物質(zhì)原子序數(shù)或化學(xué)成分差異而形成的襯度。

  56、電子探針X射線顯微分析:EPMA是一種顯微分析和成分分析相結(jié)合的微區(qū)分析,特別適用于分析樣品中微小區(qū)域的化學(xué)成分。

  57、分光晶體:用來對X射線起色散作用的晶體。

  58、定點(diǎn)定性分析:對試樣某一選定點(diǎn)(區(qū)域)進(jìn)行定性成分分,以確定該點(diǎn)區(qū)域內(nèi)存在的元素。

  59、線掃描分析:使聚焦電子束在樣品觀察區(qū)內(nèi)沿一選定直線(穿越粒子或界面)進(jìn)行慢掃描,X射線譜儀處于探測某一元素特征X射線狀態(tài)。

  60、XPS:利用特征X-ray激發(fā)樣品光電效應(yīng)產(chǎn)生光電子,收集檢測光電子能量來確定樣品元素組成和狀態(tài)。

  61、化學(xué)位移:同種原子處于不同化學(xué)環(huán)境而引起的電子結(jié)合能變化在譜線上造成的位移。

  62、物理位移:由于固體的熱效應(yīng)與電荷電效應(yīng)等物理因素引起電子結(jié)合能改變,從而導(dǎo)致光電子譜峰位移,即物理位移。

  材料分析測試方法名詞解釋2

  1、化學(xué)分析:化學(xué)分析又稱經(jīng)典分析,包括滴定分析和重量分析兩部分,是根據(jù)樣品的量、反應(yīng)產(chǎn)物的量或所消耗試劑的量及反應(yīng)的化學(xué)計(jì)量關(guān)系,經(jīng)計(jì)算得待測組分的含量;瘜W(xué)分析是鑒別材料中附加成分的種類、含量,是剖析材料組成、準(zhǔn)確定量的`必要手段。

  2、差熱分析:熱分析是研究熱力學(xué)參數(shù)或物理參數(shù)與溫度變化關(guān)系分析的方法,可分性材料晶型轉(zhuǎn)變、熔融、吸附、脫水、分解等物理性質(zhì),在物理、化學(xué)、化工、冶金、地質(zhì)、建材、燃料、輕紡、食品、生物等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。通過熱分析技術(shù)的綜合應(yīng)用可以判斷材料種類、材料組分含量、篩選目標(biāo)材料、對材料加工條件、 使用條件做出準(zhǔn)確的預(yù)判,是材料分析過程中非常重要的組成部分。

  3、元素分析:元素分析是研究被測元素原子的中外層電子由基態(tài)向激發(fā)態(tài)躍遷時(shí)吸收或者放出的特征譜線的一種分析手段,通過特征譜線的分析可了解待測材料的元素組成、化學(xué)鍵、原子含量及相對濃度。元素分析針對材料中非常規(guī)組分進(jìn)行前期元素分析,輔助和佐證色譜分析,是材料分析中必不可少的環(huán)節(jié)。

  4、光譜分析:光譜分析是通過對材料的發(fā)射光譜、吸收光譜、熒光光譜等特征光譜進(jìn)行研究以分析物質(zhì)結(jié)構(gòu)特征或含量的方法,光譜分析根據(jù)光的波長分為可見、紅外、紫外、X射線光譜分析。利用光譜分析可以精確、迅速、靈敏的鑒別材料、分析材料分子結(jié)構(gòu)、確定化學(xué)組成和相對含量。是材料分析過程中對材料進(jìn)行定性分析首要步驟。

  5、色譜分析:是材料不同組分分子在固定相和流動(dòng)相之間分配平衡的過程中,不同組分在固定相上相互分離,已達(dá)到對材料定性分析、定量的目的。根據(jù)分離機(jī)制,色譜分析可以分為吸附色譜、分配色譜、離子交換色譜、凝膠色譜、親和色譜等分析類別,通過各種色譜技術(shù)的綜合運(yùn)用,可實(shí)現(xiàn)各種材料的組分分離、定量、定性分析。

  6、聯(lián)用(接口)技術(shù):通過不同模式和類型的熱分析技術(shù)與色譜、光譜、質(zhì)譜聯(lián)用(接口)技術(shù)實(shí)現(xiàn)對多組分復(fù)雜樣品體系的分析,可完成組分多樣性、體系多樣性的材料精確、靈敏、快捷的組分、組成測試,是非常規(guī)材料剖析過程中不可或缺分析方法。

  材料分析測試方法名詞解釋3

  1、晶體:原子按一定方式在三維空間內(nèi)周期性地規(guī)則重復(fù)排列,有固定熔點(diǎn)、各向異性。

  2、中間相:兩組元A 和B 組成合金時(shí),除了形成以A 為基或以B 為基的固溶體外,還可能形成晶體結(jié)構(gòu)與A,B 兩組元均不相同的新相。由于它們在二元相圖上的位置總是位于中間,故通常把這些相稱為中間相。

  3、亞穩(wěn)相:亞穩(wěn)相指的是熱力學(xué)上不能穩(wěn)定存在,但在快速冷卻成加熱過程中,由于熱力學(xué)能壘或動(dòng)力學(xué)的因素造成其未能轉(zhuǎn)變?yōu)榉(wěn)定相而暫時(shí)穩(wěn)定存在的一種相。

  4、配位數(shù):晶體結(jié)構(gòu)中任一原子周圍最近鄰且等距離的原子數(shù)。

  5、再結(jié)晶:冷變形后的金屬加熱到一定溫度之后,在原變形組織中重新產(chǎn)生了無畸變的新晶粒,而性能也發(fā)生了明顯的變化并恢復(fù)到變形前的狀態(tài),這個(gè)過程稱為再結(jié)晶。

  6、偽共晶:非平衡凝固條件下,某些亞共晶或過共晶成分的`合金也能得到全部的共晶組織,這種由非共晶成分的合金得到的共晶組織稱為偽共晶。

  7、交滑移:當(dāng)某一螺型位錯(cuò)在原滑移面上運(yùn)動(dòng)受阻時(shí),有可能從原滑移面轉(zhuǎn)移到與之相交的另一滑移面上去繼續(xù)滑移,這一過程稱為交滑移。

  8、過時(shí)效:鋁合金經(jīng)固溶處理后,在加熱保溫過程中將先后析出GP 區(qū),θ ”,θ ’,和θ。在開始保溫階段,隨保溫時(shí)間延長,硬度強(qiáng)度上升,當(dāng)保溫時(shí)間過長,將析出θ ’,這時(shí)材料的硬度強(qiáng)度將下降,這種現(xiàn)象稱為過時(shí)效。

  9、形變強(qiáng)化:金屬經(jīng)冷塑性變形后,其強(qiáng)度和硬度上升,塑性和韌性下降,這種現(xiàn)象稱為形變強(qiáng)化。

  10、固溶強(qiáng)化:由于合金元素(雜質(zhì))的加入,導(dǎo)致的以金屬為基體的合金的強(qiáng)度得到加強(qiáng)的現(xiàn)象。

  11、彌散強(qiáng)化:許多材料由兩相或多相構(gòu)成,如果其中一相為細(xì)小的顆粒并彌散分布在材料內(nèi),則這種材料的強(qiáng)度往往會增加,稱為彌散強(qiáng)化。

  12、不全位錯(cuò):柏氏矢量不等于點(diǎn)陣矢量整數(shù)倍的位錯(cuò)稱為不全位錯(cuò)。

  13、擴(kuò)展位錯(cuò):通常指一個(gè)全位錯(cuò)分解為兩個(gè)不全位錯(cuò),中間夾著一個(gè)堆垛層錯(cuò)的整個(gè)位錯(cuò)形態(tài)。

  14、螺型位錯(cuò):位錯(cuò)線附近的原子按螺旋形排列的位錯(cuò)稱為螺型位錯(cuò)。

  15、包晶轉(zhuǎn)變:在二元相圖中,包晶轉(zhuǎn)變就是已結(jié)晶的固相與剩余液相反應(yīng)形成另一固相的恒溫轉(zhuǎn)變。

  16、共晶轉(zhuǎn)變:由一個(gè)液相生成兩個(gè)不同固相的轉(zhuǎn)變。

  17、共析轉(zhuǎn)變:由一種固相分解得到其他兩個(gè)不同固相的轉(zhuǎn)變。

  18、上坡擴(kuò)散:溶質(zhì)原子從低濃度向高濃度處擴(kuò)散的過程稱為上坡擴(kuò)散。表明擴(kuò)散的驅(qū)動(dòng)力是化學(xué)位梯度而非濃度梯度。

  19、間隙擴(kuò)散:這是原子擴(kuò)散的一種機(jī)制,對于間隙原子來說,由于其尺寸較小,處于晶格間隙中,在擴(kuò)散時(shí),間隙原子從一個(gè)間隙位置跳到相鄰的另一個(gè)間隙位置,形成原子的移動(dòng)。

  20、成分過冷:界面前沿液體中的實(shí)際溫度低于由溶質(zhì)分布所決定的凝固溫度時(shí)產(chǎn)生的過冷。

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